BSC036NE7NS3G Todos los transistores

 

BSC036NE7NS3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC036NE7NS3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm

Encapsulados: PG-TDSON-8

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BSC036NE7NS3G datasheet

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BSC036NE7NS3G

BSC036NE7NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 75 V Optimized technology for synchronous rectification RDS(on),max 3.6 mW Ideal for high frequency switching and DC/DC converters ID 100 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS

 9.1. Size:687K  infineon
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BSC036NE7NS3G

& " & E $;B1= !#& ' $=;0@/? &@99-=D Features D m Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- D n) m x 1 D Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 1) G D ON Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C Q ( 492??6= &@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q -EA6B @B D96B>2= B6C CD2?46 Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?8 , @

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BSC036NE7NS3G

BSC030N04NS G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary V 40 V Features DS R 3.0 m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),max I 100 A Optimized technology for DC/DC converters D Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Normal level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) S

 9.3. Size:1196K  infineon
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BSC036NE7NS3G

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V BSC035N10NS5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V BSC035N10NS5 SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior therma

Otros transistores... BSC030N03LS , BSC030N03MS , BSC030N08NS5 , BSC032N04LS , BSC032NE2LS , BSC034N03LS , BSC034N06NS , BSC035N10NS5 , 5N60 , BSC037N08NS5 , BSC039N06NS , BSC040N08NS5 , BSC040N10NS5 , BSC042N03LS , BSC042N03MS , BSC042N03S , BSC046N02KS .

 

 

 


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Liste

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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA

 

 

 

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