BSC040N08NS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC040N08NS5
   Código: 040N08NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8

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BSC040N08NS5 Datasheet (PDF)

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7.1. Size:1008K infineon
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BSC040N10NS5SCMOSFETPG-WSON-8-2OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VFeatures Double sided cooled package-with lowest Junction-top thermal resistancetab 175C rated Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.56 100% avalanche tested78 Superior thermal resistance43 N-channel21 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-fr

7.2. Size:1192K infineon
bsc040n10ns5.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VBSC040N10NS5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VBSC040N10NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior therma

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BSC0402NSMOSFETSuperSO8OptiMOSTM5 Power-Transistor, 150 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. Sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Halogen-free according to IEC61249-2-213 14 Low QrrProduct validationQualified according to

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