BSC040N10NS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC040N10NS5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC040N10NS5
BSC040N10NS5 Datasheet (PDF)
bsc040n10ns5.pdf
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bsc040n10ns5sc.pdf
BSC040N10NS5SCMOSFETPG-WSON-8-2OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VFeatures Double sided cooled package-with lowest Junction-top thermal resistancetab 175C rated Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.56 100% avalanche tested78 Superior thermal resistance43 N-channel21 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-fr
bsc040n08ns5.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC040N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC040N08NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal re
bsc0402ns.pdf
BSC0402NSMOSFETSuperSO8OptiMOSTM5 Power-Transistor, 150 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. Sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Halogen-free according to IEC61249-2-213 14 Low QrrProduct validationQualified according to
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Liste
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