BSG0813NDI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSG0813NDI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TISON8-4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSG0813NDI

BSG0813NDI Datasheet (PDF)

..1. Size:370K infineon
bsg0813ndi.pdf

BSG0813NDIProduct Summary Power BlockQ1 Q2 FeaturesVDS 25 25 V Dual asymmetric N-channel OptiMOS5 MOSFETRDS(on),max VGS=10 V 3 1.2 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 4 1.7 Optimized for high performance buck convertersID 50 50 A Pb-free lead plating; RoHS compliantS1/D2 (VPhase) (5) (4)D1 (Vin) Qualified according to JEDEC1) for target app

8.1. Size:377K infineon
bsg0810ndi.pdf

BSG0810NDIProduct Summary Power BlockQ1 Q2 FeaturesVDS 25 25 V Dual asymmetric N-channel OptiMOS5 MOSFETRDS(on),max VGS=10 V 3 0.85 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 4 1.2 Pb-free lead plating; RoHS compliantID 50 50 A Optimized for high performance Buck converter S1/D2 (VPhase) (5) (4)D1 (Vin) Qualified according to JEDEC1) for target ap

8.2. Size:525K infineon
bsg0811nd.pdf

BSG0811NDProduct Summary Power BlockQ1 Q2 FeaturesVDS 25 25 V Dual asymmetric N-channel OptiMOS5 MOSFETRDS(on),max VGS=10 V 3 0.8 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 4 1.1 Optimized for high performance buck convertersID 50 50 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsS1/D2 (VPhase) (5) (4)D1 (Vin) Pb-free lead plating; RoHS c

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: