BSL316C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSL316C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-457
Búsqueda de reemplazo de BSL316C MOSFET
BSL316C Datasheet (PDF)
Otros transistores... BSL207N , BSL214N , BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , 2N7002 , BSL606SN , BSL802SN , BSL806N , BSN20-7 , BSN20BK , BSO200P03S , BSO201SP , BSO203P .
History: MDIS3N40TH | 2SK3111-ZJ | AP02N40P | SUP40N25-60 | IPP076N12N3 | SML5030HN | IPP023N04N
History: MDIS3N40TH | 2SK3111-ZJ | AP02N40P | SUP40N25-60 | IPP076N12N3 | SML5030HN | IPP023N04N
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
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