BSP88 Todos los transistores

 

BSP88 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSP88

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 240 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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BSP88 datasheet

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BSP88

Rev. 2.1 BSP88 SIPMOS Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS 240 V N-Channel RDS(on) 6 Enhancement mode ID 0.35 A Logic Level PG-SOT223 dv/dt rated 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant Pb-free lead plating; RoHS compliant 2.8V rated 3 Qualified according to AEC Q101 2 1 VPS05163 Marking Packaging Type Package Tape and Reel In

Otros transistores... BSP318S , BSP320S , BSP324 , BSP372 , BSP372N , BSP373 , BSP373N , BSP716N , STF13NM60N , BSP89L6327 , BSR606N , BSS119L6327 , BSS119N , BSS123D87Z , BSS123-7 , BSS123-7-F , BSS123L6327 .

History: LSGD10R080W3 | APM4018NU

 

 

 

 

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