BSP88 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSP88
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 240 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
- Selección de transistores por parámetros
BSP88 Datasheet (PDF)
bsp88.pdf

Rev. 2.1BSP88SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 240 V N-ChannelRDS(on) 6 Enhancement modeID 0.35 A Logic LevelPG-SOT223 dv/dt rated4 Pb-free lead plating; RoHS compliantPb-free lead plating; RoHS compliant 2.8V rated3 Qualified according to AEC Q101 21VPS05163Marking PackagingType Package Tape and Reel In
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: 10N65KG-TF3-T | 11P50A | IPI08CNE8NG | FQPF3N40
History: 10N65KG-TF3-T | 11P50A | IPI08CNE8NG | FQPF3N40



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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