BST72A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BST72A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 13 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 10 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23 TO-92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BST72A
BST72A Datasheet (PDF)
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBST72AN-channel vertical D-MOStransistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel vertical D-MOS transistor BST72ADESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max. 80 Vvertical D-MOS transistor in TO-92Drain-sourc
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