BSZ150N10LS3G Todos los transistores

 

BSZ150N10LS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ150N10LS3G
   Código: 150N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8FL
 

 Búsqueda de reemplazo de BSZ150N10LS3G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSZ150N10LS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  infineon
 bsz150n10ls3g.pdf pdf_icon

BSZ150N10LS3G

BSZ150N10LS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 15 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 40 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, Logic level 100% avalanche testedPG-TSDSON-8 Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 9.1. Size:513K  infineon
 bsz15dc02kd.pdf pdf_icon

BSZ150N10LS3G

BSZ15DC02KD HOptiMOS2 + OptiMOS-P 2 Small Signal TransistorProduct Summary FeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 55 Super Logic level (2.5V rated) mW VGS=2.5 V 310 95 Common drainID -3.2 5.1 A Avalanche rated 175 C operating temperature Qualified according to AEC Q101 100% l

 9.2. Size:385K  infineon
 bsz15dc02kdh.pdf pdf_icon

BSZ150N10LS3G

BSZ15DC02KD HOptiMOS 2 + OptiMOSP 2 Small Signal TransistorProduct SummaryFeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 55 Super Logic level (2.5V rated) mVGS=2.5 V 310 95 Common drainID -3.2 5.1 A Avalanche rated 175 C operating temperature Qualified according to AEC Q101 100% lead-f

Otros transistores... BSZ0901NSI , BSZ0902NS , BSZ0902NSI , BSZ0904NSI , BSZ0907ND , BSZ0908ND , BSZ097N10NS5 , BSZ110N08NS5 , 4N60 , BSZ15DC02KD , BTS140A , BTS244Z , BTS282Z , BTS282ZE , 10N12 , 10N45 , 12N18 .

History: IXFQ34N50P3

 

 
Back to Top

 


 
.