BSZ150N10LS3G Todos los transistores

 

BSZ150N10LS3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSZ150N10LS3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TSDSON-8FL

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BSZ150N10LS3G datasheet

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BSZ150N10LS3G

BSZ150N10LS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V Ideal for high frequency switching RDS(on),max 15 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 40 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) N-channel, Logic level 100% avalanche tested PG-TSDSON-8 Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

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BSZ150N10LS3G

BSZ15DC02KD H OptiMOS 2 + OptiMOS -P 2 Small Signal Transistor Product Summary Features P N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement mode RDS(on),max VGS= 4.5 V 150 55 Super Logic level (2.5V rated) mW VGS= 2.5 V 310 95 Common drain ID -3.2 5.1 A Avalanche rated 175 C operating temperature Qualified according to AEC Q101 100% l

 9.2. Size:385K  infineon
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BSZ150N10LS3G

BSZ15DC02KD H OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Small Signal Transistor Product Summary Features P N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement mode RDS(on),max VGS= 4.5 V 150 55 Super Logic level (2.5V rated) m VGS= 2.5 V 310 95 Common drain ID -3.2 5.1 A Avalanche rated 175 C operating temperature Qualified according to AEC Q101 100% lead-f

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History: DMP4047SK3 | BSZ15DC02KD | JMSH1008PK

 

 

 


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