BSZ150N10LS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSZ150N10LS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8FL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSZ150N10LS3G

BSZ150N10LS3G Datasheet (PDF)

..1. Size:450K infineon
bsz150n10ls3g.pdf

BSZ150N10LS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 15 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 40 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, Logic level 100% avalanche testedPG-TSDSON-8 Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

9.1. Size:513K infineon
bsz15dc02kd.pdf

BSZ15DC02KD HOptiMOS2 + OptiMOS-P 2 Small Signal TransistorProduct Summary FeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 55 Super Logic level (2.5V rated) mW VGS=2.5 V 310 95 Common drainID -3.2 5.1 A Avalanche rated 175 C operating temperature Qualified according to AEC Q101 100% l

9.2. Size:385K infineon
bsz15dc02kdh.pdf

BSZ15DC02KD HOptiMOS 2 + OptiMOSP 2 Small Signal TransistorProduct SummaryFeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 55 Super Logic level (2.5V rated) mVGS=2.5 V 310 95 Common drainID -3.2 5.1 A Avalanche rated 175 C operating temperature Qualified according to AEC Q101 100% lead-f

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Liste

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