12N45 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 12N45
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 12N45

12N45 Datasheet (PDF)

..1. Size:221K inchange semiconductor
12n45.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 12N45FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.5(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch mode power supplyDC-DC convertersAC motor controlABSOL

0.1. Size:681K 1
ixth12n45ma ixth12n45mb ixth12n50ma ixth12n50mb ixth15n35ma ixth15n35mb ixth15n40ma ixth15n40mb ixtz42n20mb ixtz67n10ma ixtz67n10mb.pdf

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ixth12n45 ixth12n45a ixth12n50 ixtm12n45 ixtm12n45a ixtm12n50.pdf

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12n45a.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 12N45AFEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch mode power supplyDC-DC convertersAC motor controlABSO

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Liste

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