12N45A Todos los transistores

 

12N45A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 12N45A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3
 

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12N45A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  inchange semiconductor
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12N45A

isc N-Channel MOSFET Transistor 12N45AFEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.4(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch mode power supplyDC-DC convertersAC motor controlABSO

 0.1. Size:65K  ixys
 ixth12n45 ixth12n45a ixth12n50 ixtm12n45 ixtm12n45a ixtm12n50.pdf pdf_icon

12N45A

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 ixth12n45ma ixth12n45mb ixth12n50ma ixth12n50mb ixth15n35ma ixth15n35mb ixth15n40ma ixth15n40mb ixtz42n20mb ixtz67n10ma ixtz67n10mb.pdf pdf_icon

12N45A

 9.2. Size:221K  inchange semiconductor
 12n45.pdf pdf_icon

12N45A

isc N-Channel MOSFET Transistor 12N45FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.5(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch mode power supplyDC-DC convertersAC motor controlABSOL

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History: KUK7107-55AIE | FKV460S | AUIRFB4227 | HM18N40F | P3606HK | CTD06N017 | AO6801E

 

 
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