2SK2003-01M Todos los transistores

 

2SK2003-01M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2003-01M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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2SK2003-01M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
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2SK2003-01M

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2003-01MDESCRIPTIONDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUPSGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE

 0.1. Size:199K  fuji
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2SK2003-01M

N-channel MOS-FET2SK2003-01MRFAP-IIA Series 600V 2,4 4A 40W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Avalanche Proof> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristics > Equ

 8.1. Size:148K  1
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2SK2003-01M

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.comFuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 8.2. Size:287K  toshiba
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2SK2003-01M

2SK2009 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK2009 High Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications High input impedance. Low gate threshold voltage: V = 0.5~1.5 V th Excellent switching times: t = 0.06 s (typ.) ont = 0.12 s (typ.) off Low drain-source ON resistance: R = 1.2 (typ.) DS (ON) Small

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History: SLF5N65S | 12N06Z | VBZA4435 | FQD8N25TF | S-LBSS84LT1G | CMD50N06B | IPW65R280E6

 

 
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