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2SK2253-01M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2253-01M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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2SK2253-01M datasheet

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2SK2253-01M

N-channel MOS-FET 2SK2253-01M FAP-IIA Series 250V 0,5 8A 40W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics > Equiv

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
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2SK2253-01M

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2253-01M DESCRIPTION Drain Current I = 8A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 250V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators ,DC-DC converter,Motor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drai

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2SK2253-01M

N-channel MOS-FET 2SK2252-01L,S FAP-IIA Series 250V 0,5 8A 50W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics > Equ

 8.2. Size:174K  fuji
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2SK2253-01M

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History: RU3091M | APM2605C | PJM3401PSA | SMK0825FZ | CS8N80A8H | AP4532GM-HF | CS8N60ARD

 

 

 

 

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