2SK2257 Todos los transistores

 

2SK2257 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2257
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK2257 Datasheet (PDF)

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2SK2257

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2257DESCRIPTIONDrain Current I = 17A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUPSDC-DC convertersGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

 0.1. Size:178K  fuji
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2SK2257

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2SK2257

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2257-01DESCRIPTIONDrain Current I = 17A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUPSDC-DC convertersGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

 8.1. Size:169K  fuji
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2SK2257

N-channel MOS-FET2SK2253-01MFAP-IIA Series 250V 0,5 8A 40W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Avalanche Proof> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristics > Equiv

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History: PSMN2R6-30YLC | MTN50N06E3 | SM3116NAF | CS18N50F | IPI051N15N5 | SSFT4004 | CPC3730

 

 
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