2SK2299 Todos los transistores

 

2SK2299 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2299

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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2SK2299 datasheet

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
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2SK2299

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2299 DESCRIPTION Drain Current I = 7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 450V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0) 450 V DSS

 0.1. Size:137K  rohm
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2SK2299

 0.2. Size:142K  rohm
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2SK2299

Transistors Switching (450V, 7A) 2SK2299N FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) guaran- teed to be 30V. 5) Easily designed drive circuits. 6) Easy to parallel. FStructure Silicon N-channel MOSFET FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FPackaging specifications 1

 8.1. Size:135K  rohm
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History: 2SK1444LS | WMN15N65F2

 

 

 

 

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