3N55 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3N55
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3N55

3N55 Datasheet (PDF)

..1. Size:227K inchange semiconductor
3n55.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 3N55FEATURESDrain Current I = 3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 550V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching power supplies,converters,AC and DC motor controlsABSOLUTE MA

0.1. Size:27K no
mtp3n55.pdf

PRODUCT SPECIFICATIONS SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC. 3131 S. E. JAY STREET, STUART, FL 34997 TYPE: MTP3N55 PH: (561) 283-4500 FAX: (561) 286-8914 Website: http://www.semi-tech-inc.com CASE OUTLINE: TO-220 HIGH VOLTAGE POWER MOSFET N-CHANNEL ABSOLUTE MAXIMUM RATING: Drain Source Voltage VDSS 550 Vdc Drain Gate Voltage VDGR 550 Vdc Drain Current Continuous ID 3

0.2. Size:231K isahaya
rt3n55m.pdf

RT3N55M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3N55M is composite transistor built with two 1.25 RT1N144 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

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History: STP180N55F3

Liste

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