SUP45N05-20L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUP45N05-20L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUP45N05-20L

SUP45N05-20L Datasheet (PDF)

..1. Size:41K vishay
sub45n05-20l sup45n05-20l.pdf

SUP/SUB45N05-20LVishay SiliconixN-Channel 50-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic LevelPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.018 @ VGS = 10 V50 "45 a"0.020 @ VGS = 4.5 VDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB45N05-20LTop ViewN-Channel MOSFETSUP45N05-20LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol

6.1. Size:52K vishay
sup45n05.pdf

7.1. Size:45K vishay
sup45n03-13l.pdf

SUP45N03-13LVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.013 @ VGS = 10 V 45a300.02 @ VGS = 4.5 V 45aDTO-220ABGDRAIN connected to TABG D SSTop ViewN-Channel MOSFETSUP45N03-13LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30Gate-Source Volt

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: