BUK444-800 Todos los transistores

 

BUK444-800 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK444-800

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de BUK444-800 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUK444-800 datasheet

 ..1. Size:226K  inchange semiconductor
 buk444-800.pdf pdf_icon

BUK444-800

 0.1. Size:52K  philips
 buk444-800a-b 1.pdf pdf_icon

BUK444-800

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK444-800A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. BUK444 -800A -800B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 800 800 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 1.4 1.2

 7.1. Size:66K  philips
 buk444-60h 1.pdf pdf_icon

BUK444-800

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK444-60H GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. VDS Drain-source voltage 60 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 21 A Automotive applications, Switched Ptot Total power dissipation

 7.2. Size:59K  philips
 buk444-200a-b.pdf pdf_icon

BUK444-800

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK444-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. BUK444 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 5.3 4.7

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 50N06FI , 5NA80 , 60N06-14 , 75N05E , 8N90A , 9N80A , 9N90L-T3P , BUK444-200A , AO4407A , BUK445-200B , BUK445-60H , BUK453-60B , BUK452-60A , BUK452-60B , BUK453-100B , BUK453-60A , BUK454-200A .

History: AGM402H | 2SK1255 | AO3454 | 2N6796U | TPM2030-3 | 2SK3484-ZK | 2SK1236

 

 

 

 

↑ Back to Top
.