BUK445-200B Todos los transistores

 

BUK445-200B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK445-200B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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BUK445-200B datasheet

 4.1. Size:56K  philips
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BUK445-200B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK445-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. BUK445 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 7.6 7 A

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BUK445-200B

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BUK445-200B

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BUK445-200B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK445-60H GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. VDS Drain-source voltage 60 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 22.5 A Automotive applications, Switched Ptot Total power dissipatio

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