BUK453-60B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUK453-60B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK453-60B

BUK453-60B Datasheet (PDF)

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Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK453-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK453 -60A -60BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 22 20 A(SMPS), motor

5.2. Size:54K philips
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5.3. Size:229K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor BUK453-60A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSLow RDS(ON)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, and in general purpose switchingresistance applicationABSOLUTE MAXIMUM

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Liste

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