MTDP9933KQ8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTDP9933KQ8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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MTDP9933KQ8 datasheet
mtdp9933kq8.pdf
Spec. No. C589Q8 Issued Date 2015.02.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTDP9933KQ8 BVDSS -20V ID@VGS=-4.5V, TA=25 C -4.5A -7.5A ID@VGS=-4.5V, TC=25 C Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A 28 m (typ) Simple drive requirement RDSON@VGS=-2.5V, ID=-4A 36 m (typ) Low on-resistance RDSON@VG
mtdp9620t8.pdf
Spec. No. C573Q8 Issued Date 2012.03.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.28 Page No. 1/8 Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20V MTDP9620T8 ID -6.3A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.8A 20m (typ) RDSON@VGS=-2.5V,ID=-4.2A 26m (typ) RDSON@VGS=-1.8V,ID=-3.5A 34m (typ) Features 1.8V drive available Low on-resistance Fast switching s
mtdp9620q8.pdf
Spec. No. C573Q8 Issued Date 2015.02.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTDP9620Q8 BVDSS -20V ID@VGS=-4.5V, TA=25 C -5.2A -8.8A ID@VGS=-4.5V, TC=25 C Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-6.5A 16.4m (typ) Simple drive requirement RDSON@VGS=-2.5V, ID=-4.2A 19.8m (typ) Low on-resistance RDSON
Otros transistores... MTD5P06VT4G , MTD6N15T4 , MTD6N15T4G , MTD6N15T4GV , MTD6N20ET4 , MTD6N20ET4G , MTD6P10E , MTDP9620Q8 , P55NF06 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E .
History: AGM30P10S | HM4884A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
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