MTDP9933KQ8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTDP9933KQ8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MTDP9933KQ8 MOSFET
MTDP9933KQ8 Datasheet (PDF)
mtdp9933kq8.pdf

Spec. No. : C589Q8 Issued Date : 2015.02.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTDP9933KQ8 BVDSS -20V ID@VGS=-4.5V, TA=25C -4.5A -7.5A ID@VGS=-4.5V, TC=25C Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A 28 m(typ) Simple drive requirement RDSON@VGS=-2.5V, ID=-4A 36 m(typ) Low on-resistance RDSON@VG
mtdp9620t8.pdf

Spec. No. : C573Q8 Issued Date : 2012.03.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.28 Page No. : 1/8 Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTDP9620T8 ID -6.3ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.8A 20m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-4.2A 26m(typ)RDSON@VGS=-1.8V,ID=-3.5A 34m(typ)Features 1.8V drive available Low on-resistance Fast switching s
mtdp9620q8.pdf

Spec. No. : C573Q8 Issued Date : 2015.02.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTDP9620Q8 BVDSS -20V ID@VGS=-4.5V, TA=25C -5.2A -8.8A ID@VGS=-4.5V, TC=25C Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-6.5A 16.4m(typ) Simple drive requirement RDSON@VGS=-2.5V, ID=-4.2A 19.8m(typ) Low on-resistance RDSON
Otros transistores... MTD5P06VT4G , MTD6N15T4 , MTD6N15T4G , MTD6N15T4GV , MTD6N20ET4 , MTD6N20ET4G , MTD6P10E , MTDP9620Q8 , 2SK3878 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E .
History: MTB55N03J3 | NCEP068N10AG | MTD6N15T4GV | MTD6P10E | NCEP068N10G | NCEP045N10D
History: MTB55N03J3 | NCEP068N10AG | MTD6N15T4GV | MTD6P10E | NCEP068N10G | NCEP045N10D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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