MTM12N10 Todos los transistores

 

MTM12N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTM12N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-204AA
 

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MTM12N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  njs
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MTM12N10

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History: SI4888DY | HRLD40N04K | SML40B37 | TK290P65Y | IRF1503PBF

 

 
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