MTM13127 Todos los transistores

 

MTM13127 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTM13127

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SOT-346

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MTM13127 datasheet

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MTM13127

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). MTM13127 Silicon P-channel MOS FET For DC-DC converter circuits For swiching circuits Overview Package MTM13127 is the P-channel MOS FET that is highly suitable ofr DC-DC Code converter and other switching circuits. Mini3-G3-B Package dimension clicks here. Click! Features Low drain

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MTM13127

Doc No. TT4-EA-14584 Revision. 2 Product Standards MOS FET MTM131230BBF MTM131230BBF Silicon P-channel MOSFET Unit mm 2.9 For switching 0.4 0.16 3 Features Low drain-source ON resistance RDS(on)typ. = 40 m ( VGS = -4.0 V ) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 1 2 1.1 Marking Symbol BL (0.95)(0.95) 1.9 1. Gate

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MTM13127

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). MTM13227 Silicon N-channel MOSFET For switching Features Package Low on-resistance Ron = 85 mW (VGS = -4.0 V) Code Small package Mini3-G3-B Mini3-G3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Pin Name Eco-friendly Halogen-free package 1 Gate Packaging

Otros transistores... MTM10N100E , MTM10N25 , MTM12N10 , MTM12P05 , MTM12P06 , MTM12P08 , MTM12P10 , MTM13123 , IRF1407 , MTM13227 , MTM15N20 , MTM15N35 , MTM15N40 , MTM15N40E , MTM15N45 , MTM15N50 , MTM20N15 .

 

 

 

 

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