MTM2N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTM2N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-204AA
Búsqueda de reemplazo de MTM2N90 MOSFET
MTM2N90 Datasheet (PDF)
Otros transistores... MTM23227 , MTM232270LBF , MTM24N45E , MTM24N50 , MTM25N10 , MTM26N40E , MTM2N50 , MTM2N85 , 60N06 , MTM30N50 , MTM3N60 , MTM40N20 , MTM45N15 , MTM4N45 , MTM4N50 , MTM55N08 , MTM55N10 .
History: JMSH1003AE7Q | JMSH1018PE | STC6614 | AOB2140L | BUK637-500B | JMSH1003TE | JMSH1003TF
History: JMSH1003AE7Q | JMSH1018PE | STC6614 | AOB2140L | BUK637-500B | JMSH1003TE | JMSH1003TF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
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