MTM55N08 Todos los transistores

 

MTM55N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTM55N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-204AE
 

 Búsqueda de reemplazo de MTM55N08 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTM55N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  njs
mtm55n08 mtm60n05.pdf pdf_icon

MTM55N08

 8.1. Size:89K  njs
mtm55n10 mtm60n06.pdf pdf_icon

MTM55N08

Otros transistores... MTM2N85 , MTM2N90 , MTM30N50 , MTM3N60 , MTM40N20 , MTM45N15 , MTM4N45 , MTM4N50 , IRF9640 , MTM55N10 , MTM5N100 , MTM5N35 , MTM5N40 , MTM5N95 , MTM60N05 , MTM60N06 , MTM68410 .

History: SIHFIB7N50A | 2SK3353 | 2SK4065K

 

 
Back to Top

 


 
.