MTM68411 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTM68411
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Encapsulados: WMINI8-F1
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MTM68411 datasheet
mtm68411.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). MTM68411 Silicon P-channel MOS FET For load switch circuits For switching circuits Package Overview Code MTM68411 is the low ON resistance dual P-channel MOS FET designed for WMini8-F1 load switch circuits. Package dimension clicks here. Click! Features Pin Name Dual P-channel MOS FET in o
mtm68410.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). MTM68410 Silicon P-channel MOS FET For load switch circuits For switching circuits Package Overview Code MTM68410 is the low ON resistance dual P-channel MOS FET designed for WMini8-F1 load switch circuits. Package dimension clicks here. Click! Features Pin Name Dual P-channel MOS FET in o
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History: AON6710
History: AON6710
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