MTM68411 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTM68411
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: WMINI8-F1
Búsqueda de reemplazo de MTM68411 MOSFET
MTM68411 Datasheet (PDF)
mtm68411.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM68411Silicon P-channel MOS FETFor load switch circuitsFor switching circuits Package Overview CodeMTM68411 is the low ON resistance dual P-channel MOS FET designed for WMini8-F1load switch circuits.Package dimension clicks here. Click! Features Pin Name Dual P-channel MOS FET in o
mtm68410.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM68410Silicon P-channel MOS FETFor load switch circuitsFor switching circuits Package Overview CodeMTM68410 is the low ON resistance dual P-channel MOS FET designed for WMini8-F1load switch circuits.Package dimension clicks here. Click! Features Pin Name Dual P-channel MOS FET in o
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