MTM68411 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTM68411
   Código: 1D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: WMINI8-F1

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MTM68411 Datasheet (PDF)

..1. Size:276K panasonic
mtm68411.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM68411Silicon P-channel MOS FETFor load switch circuitsFor switching circuits Package Overview CodeMTM68411 is the low ON resistance dual P-channel MOS FET designed for WMini8-F1load switch circuits.Package dimension clicks here. Click! Features Pin Name Dual P-channel MOS FET in o

7.1. Size:273K panasonic
mtm68410.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM68410Silicon P-channel MOS FETFor load switch circuitsFor switching circuits Package Overview CodeMTM68410 is the low ON resistance dual P-channel MOS FET designed for WMini8-F1load switch circuits.Package dimension clicks here. Click! Features Pin Name Dual P-channel MOS FET in o

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Liste

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