MTM8N35 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTM8N35
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-204AA
Búsqueda de reemplazo de MTM8N35 MOSFET
MTM8N35 Datasheet (PDF)
Otros transistores... MTM78E2B0LBF , MTM7N45 , MTM7N50 , MTM86124 , MTM86127 , MTM86128 , MTM86227 , MTM8N20 , P55NF06 , MTM8N40 , MTM8N60 , MTM98140 , MTM981400BBF , MTM98240 , MTM982400BBF , MTMC8E2A , MTN12N30FP .
History: STN2306 | FQB6N90TMAM002 | MTM8N20 | STD2NM60T4 | AP4503GM-HF | CMLDM3737 | AM90N08-05P
History: STN2306 | FQB6N90TMAM002 | MTM8N20 | STD2NM60T4 | AP4503GM-HF | CMLDM3737 | AM90N08-05P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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