MTM982400BBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTM982400BBF
Código: CA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTM982400BBF
MTM982400BBF Datasheet (PDF)
mtm982400bbf.pdf
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mtm98240.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Silicon MOS FETs (Small Signal) MTM98240Silicon N-channel MOS FETFor DC-DC converter circuitsFor LCD back light inverter Overview PackageThe MTM98240 is suitable for DC-DC converter and LCD back light Codeinverter, which features the industry's top-class low on-resistance and SO8-F1-Bswitching char
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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM98140Silicon P-channel MOS FETFor DC-DC converter circuitsFor LCD back light inverter Overview PackageThe MTM98140 is suitable for DC-DC converter and LCD back light Codeinverter. SO8-F1-B Pin Name Features 1: Source 5: Drain Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 19 mW (VGS
mtm981400bbf.pdf
Doc No. TT4-EA-10096Revision. 3MOS FETMTM981400BBFMTM981400BBFPMOS FETUnit: mm 5.00.4 0.228 7 6 5 :RDS(on) typ. = 28 m (VGS = -4.5 V) (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 )1 2 3
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Liste
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