MTP10N35 Todos los transistores

 

MTP10N35 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP10N35
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTP10N35 Datasheet (PDF)

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History: IPA50R380CE | STF13NK50Z | AP90T03GH

 

 
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