MTP12N10L Todos los transistores

 

MTP12N10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP12N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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MTP12N10L Datasheet (PDF)

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MTP12N10L

MTP12N10Lwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.092 at VGS = 10 V10018COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersTO-220AB DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE M

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MTP12N10L

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP12N10E/DDesigner's Data SheetMTP12N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high12 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy100 VOLTSeffi

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP12N10E/DDesigner's Data SheetMTP12N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high12 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy100 VOLTSeffi

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History: IRF7483MTRPBF | WMM10N60C4 | KIA65R420

 

 
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