MTP4N60 Todos los transistores

 

MTP4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP4N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220C
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTP4N60 Datasheet (PDF)

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MTP4N60

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MTP4N60

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MTP4N60

MTP4N80 PCB24MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP4N80E/DDesigner's Data SheetMTP4N80ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination4.0 AMPERESs

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MTP4N60

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History: HGB029N06SL | 4N70KG-TF2-T | PK600BA | MCH3475 | MTEE2N20FP | HGI290N10SL | HY1607U

 

 
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