MTP7N20 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP7N20  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MTP7N20 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTP7N20 datasheet

 ..1. Size:169K  fairchild semi
 mtp7n18 mtp7n20.pdf pdf_icon

MTP7N20

 0.1. Size:223K  motorola
 mtp7n20erev0b.pdf pdf_icon

MTP7N20

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP7N20E/D Designer's Data Sheet MTP7N20E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 7.0 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 200 VOLTS effic

 0.2. Size:192K  motorola
 mtp7n20e.pdf pdf_icon

MTP7N20

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP7N20E/D Designer's Data Sheet MTP7N20E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 7.0 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 200 VOLTS effic

 9.1. Size:57K  njs
 mtp7n60.pdf pdf_icon

MTP7N20

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... MTP5N40E, MTP5N60, MTP5P18, MTP5P20, MTP5P25, MTP6N60E, MTP6P20E, MTP7N18, IRF630, MTP7N60, MTP7P05, MTP7P06, MTP8N20, MTP8N50E, MTP8N60, MTP8P08, MTP8P10