MTM3N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTM3N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
MTM3N80 Datasheet (PDF)
Otros transistores... MX2N4860 , MX2N4861 , MX2N5114 , MX2N5115 , MX2N5116 , MTP3N45 , MTP3N50 , MTM3N75 , RU6888R , 125N10T , 2SJ156 , 2SJ171 , 2SK2071-01L , 2SK399 , 2SK400 , 2SK429 , 2SK562 .
History: DMT10H010LK3 | IPA60R950C6
History: DMT10H010LK3 | IPA60R950C6



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
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