2SK564 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK564
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK564 MOSFET
2SK564 Datasheet (PDF)
2sk564.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK564FEATURESDrain Current I =32A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Otros transistores... 125N10T , 2SJ156 , 2SJ171 , 2SK2071-01L , 2SK399 , 2SK400 , 2SK429 , 2SK562 , AON7403 , 2SK566 , 2SK602 , 2SK604 , 2SK610 , 2SK616 , 2SK617 , 2SK622 , 2SK627 .
History: SM4336NSKP | RJL6015DPK | IXTA4N60P | NCE01P18 | ME4856 | AM6520C | HCP65R110
History: SM4336NSKP | RJL6015DPK | IXTA4N60P | NCE01P18 | ME4856 | AM6520C | HCP65R110



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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