SPB80N06S2-05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPB80N06S2-05
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SPB80N06S2-05 MOSFET
SPB80N06S2-05 Datasheet (PDF)
spp80n06s2-05 spb80n06s2-05.pdf

www.DataSheet4U.com SPP80N06S2-05SPB80N06S2-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 55 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 4.8 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67040-S42452N0605SPB80N06S2-05
spb80n06s2-09 spp80n06s2-09.pdf

SPP80N06S2-09Preliminary dataSPB80N06S2-09OptiMOS =Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 9.1 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-09 P-TO220-3-1 Q67060-S60252N0609SPB80N06S2-09 P-TO263-3-2 Q67060-S6027 2N0609Maxi
spp80n06s2-08 spb80n06s2-08 spi80n06s2-08.pdf

SPI80N06S2-08SPP80N06S2-08,SPB80N06S2-08OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 8 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO262 -3-1 P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-08 P- TO220 -3-1 Q67060-S42832N0608SPB80N06S2-08 P- TO263 -
spp80n06s2l-09 spb80n06s2l-09.pdf

SPP80N06S2L-09SPB80N06S2L-09OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 8.5 m Enhancement modeID 80 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2L-09 P- TO220 -3-1 Q67060-S60312N06L09SPB80N06S2L-09 P- TO263 -3-2
Otros transistores... SUP40N06-25L , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , SPD22N08S2L-50 , SPD50N06S2-14 , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 , AO3400 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 , SPP80N06S2L-H5 , SPB80N06S2L-H5 , SPP100N06S2L-05 , SPB100N06S2L-05 .
History: SSF65R360S2E | SSFM2506L | PZ5S6JZ | WML13N65EM | SSP7300N | STI14NM65N | AO4624
History: SSF65R360S2E | SSFM2506L | PZ5S6JZ | WML13N65EM | SSP7300N | STI14NM65N | AO4624



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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