SPP80N06S2L-07 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPP80N06S2L-07
   Código: 2N06L07
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 95 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPP80N06S2L-07

SPP80N06S2L-07 Datasheet (PDF)

..1. Size:308K infineon
spp80n06s2l-07 spb80n06s2l-07.pdf

SPP80N06S2L-07SPB80N06S2L-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 7 m Enhancement modeID 80 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2L-07 P- TO220 -3-1 Q67040-S42852N06L07SPB80N06S2L-07 P- TO263 -3-2 Q6

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spp80n06s2l-09 spb80n06s2l-09.pdf

SPP80N06S2L-09SPB80N06S2L-09OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 8.5 m Enhancement modeID 80 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2L-09 P- TO220 -3-1 Q67060-S60312N06L09SPB80N06S2L-09 P- TO263 -3-2

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spp80n06s2l-h5 spb80n06s2l-h5.pdf

SPP80N06S2L-H5SPB80N06S2L-H5OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 5 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2L-H5 P- TO220 -3-1 Q67060-S60542N06LH5SPB80N06S2L-H5 P- TO263 -3-2 Q67060-S6055 2N06LH5Maximum Ratings, a

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spp80n06s2-05 spb80n06s2-05.pdf

www.DataSheet4U.com SPP80N06S2-05SPB80N06S2-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 55 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 4.8 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67040-S42452N0605SPB80N06S2-05

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spb80n06s2-09 spp80n06s2-09.pdf

SPP80N06S2-09Preliminary dataSPB80N06S2-09OptiMOS =Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 9.1 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-09 P-TO220-3-1 Q67060-S60252N0609SPB80N06S2-09 P-TO263-3-2 Q67060-S6027 2N0609Maxi

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spp80n06s2-08 spb80n06s2-08 spi80n06s2-08.pdf

SPI80N06S2-08SPP80N06S2-08,SPB80N06S2-08OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 8 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO262 -3-1 P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-08 P- TO220 -3-1 Q67060-S42832N0608SPB80N06S2-08 P- TO263 -

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: