GKI07113 Todos los transistores

 

GKI07113 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GKI07113
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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GKI07113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  sanken-ele
 gki07113.pdf pdf_icon

GKI07113

75 V, 40 A, 7.0 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI07113 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) ---------- 9.5 m max. (VGS = 10 V, ID = 27.2 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------ 25.0nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID =

 8.1. Size:242K  sanken-ele
 gki07174.pdf pdf_icon

GKI07113

75 V, 26 A, 10.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI07174 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) -------- 14.5 m max. (VGS = 10 V, ID = 18.9 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------15.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID =

 9.1. Size:361K  sanken-ele
 gki07301.pdf pdf_icon

GKI07113

75 V, 26 A, 17.7 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI07301 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) -------- 25.5 m max. (VGS = 10 V, ID = 12.4 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 7.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 15

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History: RQ1E070RP | SFF80N20MUB | AO4916

 

 
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