GKI10526 Todos los transistores

 

GKI10526 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GKI10526
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0542 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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GKI10526 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  sanken-ele
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GKI10526

100 V, 20 A, 34.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI10526 Features Package V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 20 A RDS(ON) ---------- 54.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 9.3 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 9.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID =

 9.1. Size:242K  sanken-ele
 gki10194.pdf pdf_icon

GKI10526

100 V, 40 A, 12.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI10194 Features Package V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) -------- 18.1 m max. (VGS = 10 V, ID = 20.4 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------27.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID

 9.2. Size:361K  sanken-ele
 gki10301.pdf pdf_icon

GKI10526

100 V, 26 A, 20.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI10301 Features Package V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) -------- 29.8 m max. (VGS = 10 V, ID = 14.2 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------16.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 17

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