GKI10526 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GKI10526
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0542 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GKI10526
GKI10526 Datasheet (PDF)
gki10526.pdf
100 V, 20 A, 34.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI10526 Features Package V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 20 A RDS(ON) ---------- 54.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 9.3 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 9.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID =
gki10194.pdf
100 V, 40 A, 12.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI10194 Features Package V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) -------- 18.1 m max. (VGS = 10 V, ID = 20.4 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------27.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID
gki10301.pdf
100 V, 26 A, 20.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI10301 Features Package V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) -------- 29.8 m max. (VGS = 10 V, ID = 14.2 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------16.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 17
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