GM2302 Todos los transistores

 

GM2302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GM2302
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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GM2302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  gsme
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GM2302

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GM2302SOT-23 (SOT-23 Field Effect Transistors)N-Channel Enhancement-Mode MOS FETsN-Channel Enhancement-Mode MOS FETsN-Channel Enhancement-Mode MOS FET

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GM2302

SGM2306A5A, 30V,RDS(ON) 35m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductDescriptionSOT-89The SGM2306A utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device.The SGM2306A is universally used for all commercial-industrial surface mount applications.

 9.2. Size:1782K  secos
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SGM2305A -3.2 A, -30 V, RDS(ON) 80 m P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-89 FEATURES A The SGM2305A provide the designer with best combination of fast switching, 4Top ViewC Blow on-resistance and cost-effectiveness. The SGM2305A is universally preferred

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GM2302

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GM2301SOT-23 (SOT-23 Field Effect Transistors)P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-Channel Enhancement-Mode MOS FET

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History: AO4800

 

 
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