GM4947 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GM4947
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de GM4947 MOSFET
GM4947 Datasheet (PDF)
gm4947.pdf

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GM4947P-channel 60V, SOP-8 MOSFET P-P-channel 60V, SOP-8 MOSFET P-P-channel 60V, SOP-8 MOSFET P-P-channel 60V, SOP-8 MOSFET P-FeaturesFeatures
Otros transistores... GKI07301 , GKI10194 , GKI10301 , GKI10526 , GM2301 , GM2302 , GM3401 , GM3402 , CS150N03A8 , GM7002 , GM8205 , GM8205A , GM8205D , GMP3205 , GMP60N06 , GMP80N75 , GMS2301 .
History: VBA4216 | IPD50R2K0CE | IRF6721S | IRF7509PBF-1
History: VBA4216 | IPD50R2K0CE | IRF6721S | IRF7509PBF-1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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