GM4947 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GM4947
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GM4947

GM4947 Datasheet (PDF)

..1. Size:283K gsme
gm4947.pdf

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GM4947P-channel 60V, SOP-8 MOSFET P-P-channel 60V, SOP-8 MOSFET P-P-channel 60V, SOP-8 MOSFET P-P-channel 60V, SOP-8 MOSFET P-FeaturesFeatures

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Liste

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