GM8205A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GM8205A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
Búsqueda de reemplazo de GM8205A MOSFET
GM8205A Datasheet (PDF)
gm8205a.pdf

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GM8205ADual N-channel 20V, TSSOP-8 MOSFET N-Dual N-channel 20V, TSSOP-8 MOSFET N-Dual N-channel 20V, TSSOP-8 MOSFET N-Dual N-channel 20V, TSSOP-8 MOSFET N-
Otros transistores... GKI10526 , GM2301 , GM2302 , GM3401 , GM3402 , GM4947 , GM7002 , GM8205 , AON6380 , GM8205D , GMP3205 , GMP60N06 , GMP80N75 , GMS2301 , GMS2302 , GP1M003A040XG , GP1M003A050HG-FG .
History: WMO10N65C4 | RFD8P05 | IRFP451FI | STP21NM60ND | FQPF2P25 | WMK10N65C4 | RQK0608BQDQS
History: WMO10N65C4 | RFD8P05 | IRFP451FI | STP21NM60ND | FQPF2P25 | WMK10N65C4 | RQK0608BQDQS



Liste
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