GMP3205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GMP3205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 781 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de GMP3205 MOSFET
GMP3205 Datasheet (PDF)
gmp3205.pdf

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GMP3205N-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFETN-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFETN-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFET N-channel 55V, 110A, T
Otros transistores... GM2302 , GM3401 , GM3402 , GM4947 , GM7002 , GM8205 , GM8205A , GM8205D , K2611 , GMP60N06 , GMP80N75 , GMS2301 , GMS2302 , GP1M003A040XG , GP1M003A050HG-FG , GP1M003A050XG , GP1M003A080XG .
History: OSG60R670DF | IRFS723 | AP3988P-HF | ME70N03S-G | DH400P06F | IXFT86N30T | IPB180N08S4-02
History: OSG60R670DF | IRFS723 | AP3988P-HF | ME70N03S-G | DH400P06F | IXFT86N30T | IPB180N08S4-02



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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