GMP60N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GMP60N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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GMP60N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:203K gsme
gmp60n06.pdf

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GMP60N06N-channel 60V, 60A, TO-220 Power MOSFETN-channel 60V, 60A, TO-220 Power MOSFETN-channel 60V, 60A, TO-220 Power MOSFET N-channel 60V, 60A, TO-2

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Liste

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