GMP60N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GMP60N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de GMP60N06 MOSFET
GMP60N06 Datasheet (PDF)
gmp60n06.pdf

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GMP60N06N-channel 60V, 60A, TO-220 Power MOSFETN-channel 60V, 60A, TO-220 Power MOSFETN-channel 60V, 60A, TO-220 Power MOSFET N-channel 60V, 60A, TO-2
Otros transistores... GM3401 , GM3402 , GM4947 , GM7002 , GM8205 , GM8205A , GM8205D , GMP3205 , MMIS60R580P , GMP80N75 , GMS2301 , GMS2302 , GP1M003A040XG , GP1M003A050HG-FG , GP1M003A050XG , GP1M003A080XG , GP1M003A080XX .
History: IRFP4242PBF | AUIRF4104S | MMN9926BDY | SIRA14BDP | AFP6405WS | 2N5163 | NTMFS4927NT1G
History: IRFP4242PBF | AUIRF4104S | MMN9926BDY | SIRA14BDP | AFP6405WS | 2N5163 | NTMFS4927NT1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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