GMS2302 Todos los transistores

 

GMS2302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GMS2302
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

GMS2302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  gsme
 gms2302.pdf pdf_icon

GMS2302

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GMS2302SOT-23 (SOT-23 Field Effect Transistors)N-Channel Enhancement-Mode MOS FETsN-Channel Enhancement-Mode MOS FETsN-Channel Enhancement-Mode MOS FETsN MOSN MOSNMOS

 8.1. Size:262K  gsme
 gms2301.pdf pdf_icon

GMS2302

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GMS2301SOT-23 (SOT-23 Field Effect Transistors)P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP MOSP MOSPMOS

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History: IXFP16N50P | CHM41A2PAGP | AO4486 | BRCS120N06SRA | VN2110 | SMT10N60 | IMW120R140M1H

 

 
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