GMS2302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GMS2302
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de GMS2302 MOSFET
GMS2302 Datasheet (PDF)
gms2302.pdf

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GMS2302SOT-23 (SOT-23 Field Effect Transistors)N-Channel Enhancement-Mode MOS FETsN-Channel Enhancement-Mode MOS FETsN-Channel Enhancement-Mode MOS FETsN MOSN MOSNMOS
gms2301.pdf

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GMS2301SOT-23 (SOT-23 Field Effect Transistors)P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP MOSP MOSPMOS
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History: NVMFS6B14NL | SUU10P10-195 | IPA65R065C7
History: NVMFS6B14NL | SUU10P10-195 | IPA65R065C7



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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