GP1M009A090XX Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP1M009A090XX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-220F

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GP1M009A090XX datasheet

 ..1. Size:390K  globalpower
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GP1M009A090XX

GP1M009A090H GP1M009A090FH VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHS GP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen Free Absolute M

 3.1. Size:539K  globalpower
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GP1M009A090XX

GP1M009A090N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 900V 9.5A

 5.1. Size:408K  globalpower
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GP1M009A090XX

GP1M009A050HS GP1M009A050FSH N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 8.5A

 5.2. Size:378K  globalpower
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GP1M009A090XX

GP1M009A070H GP1M006A070F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 7A

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