GP1M009A090XX Todos los transistores

 

GP1M009A090XX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP1M009A090XX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

GP1M009A090XX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:390K  globalpower
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GP1M009A090XX

GP1M009A090HGP1M009A090FHVDSS = 990 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHSGP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen FreeAbsolute M

 3.1. Size:539K  globalpower
 gp1m009a090n.pdf pdf_icon

GP1M009A090XX

GP1M009A090N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 900V 9.5A

 5.1. Size:408K  globalpower
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GP1M009A090XX

GP1M009A050HSGP1M009A050FSHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 8.5A

 5.2. Size:378K  globalpower
 gp1m009a070x.pdf pdf_icon

GP1M009A090XX

GP1M009A070HGP1M006A070FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge700V 7A

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | BUK7616-55A | AP98T03GP-HF

 

 
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