GSM2912 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM2912

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6L

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GSM2912 datasheet

 ..1. Size:902K  globaltech semi
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GSM2912

GSM2912 GSM2912 20V N-CH Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2912, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.6A,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particula

 8.1. Size:886K  globaltech semi
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GSM2912

GSM2911 GSM2911 20V P-CH Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2911, P-Channel enhancement mode P-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-4.5A,RDS(ON)= 96m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These -20V/-3.8A,RDS(ON)=128m @VGS=-2.5V devices are particularly suited for low voltage -20V/-2.5A,RDS(ON)=180m @VGS=-1.8V po

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GSM2912

GSM2913W GSM2913W 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2913W, P-Channel enhancement mode -30V/-4.5A,RDS(ON)=120m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.8A,RDS(ON)=155m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

Otros transistores... GSM2354, GSM2367AS, GSM2367S, GSM2376, GSM2379, GSM2519, GSM2604, GSM2911, IRF4905, GSM2913W, GSM3009S, GSM3015S, GSM3016S, GSM3019S, GSM3025S, GSM3030, GSM3050S