GSM2912 Todos los transistores

 

GSM2912 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM2912
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
 

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GSM2912 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:902K  globaltech semi
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GSM2912

GSM2912 GSM2912 20V N-CH Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2912, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particula

 8.1. Size:886K  globaltech semi
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GSM2912

GSM2911 GSM2911 20V P-CH Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2911, P-Channel enhancement mode P-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-4.5A,RDS(ON)= 96m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These -20V/-3.8A,RDS(ON)=128m@VGS=-2.5V devices are particularly suited for low voltage -20V/-2.5A,RDS(ON)=180m@VGS=-1.8V po

 8.2. Size:1420K  globaltech semi
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GSM2912

GSM2913W GSM2913W 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2913W, P-Channel enhancement mode -30V/-4.5A,RDS(ON)=120m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.8A,RDS(ON)=155m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

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