GSM3993 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM3993

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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GSM3993 datasheet

 ..1. Size:467K  globaltech semi
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GSM3993

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3993, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=150m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.2A,RDS(ON)=235m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volt

 9.1. Size:417K  globaltech semi
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GSM3993

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3981, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A,RDS(ON)=135m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=190m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell

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GSM3993

GSM3911W GSM3911W 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3911W, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=68m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.0A,RDS(ON)=95m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f

Otros transistores... GSM3485, GSM3497, GSM3679S, GSM3804, GSM3806W, GSM3814W, GSM3911W, GSM3981, IRF540, GSM4048WS, GSM4102W, GSM4124WS, GSM4134, GSM4134W, GSM4172S, GSM4172WS, GSM4210