GSM3993 Todos los transistores

 

GSM3993 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM3993
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

 Búsqueda de reemplazo de GSM3993 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GSM3993 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  globaltech semi
 gsm3993.pdf pdf_icon

GSM3993

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3993, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.2A,RDS(ON)=235m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volt

 9.1. Size:417K  globaltech semi
 gsm3981.pdf pdf_icon

GSM3993

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3981, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A,RDS(ON)=135m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=190m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell

 9.2. Size:1307K  globaltech semi
 gsm3911w.pdf pdf_icon

GSM3993

GSM3911W GSM3911W 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3911W, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=68m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.0A,RDS(ON)=95m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f

Otros transistores... GSM3485 , GSM3497 , GSM3679S , GSM3804 , GSM3806W , GSM3814W , GSM3911W , GSM3981 , IRF540N , GSM4048WS , GSM4102W , GSM4124WS , GSM4134 , GSM4134W , GSM4172S , GSM4172WS , GSM4210 .

History: IRFH7085PBF | CEB7030L | KIA10N80H-3P | WMJ80N65F2 | WST3407A | RU3020H | BRU24N50

 

 
Back to Top

 


 
.