GSM4134W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM4134W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM4134W
Principales características: GSM4134W
gsm4134w.pdf
GSM4134W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4134W, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=16m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=18m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for low SOP-8P pac
gsm4134.pdf
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4134, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=15m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=20m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for low SOP-8P package design
gsm4124ws.pdf
GSM4124WS 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 40V/14A,RDS(ON)=8m @VGS=10V GSM4124WS, N-Channel enhancement mode 40V/12A,RDS(ON)=9m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to Super high density cell design for extremely provide excellent RDS(ON), low gate charge. low RDS (ON) SOP-8P package design These devices are particul
Otros transistores... GSM3814W , GSM3911W , GSM3981 , GSM3993 , GSM4048WS , GSM4102W , GSM4124WS , GSM4134 , IRF1404 , GSM4172S , GSM4172WS , GSM4210 , GSM4210W , GSM4214 , GSM4214W , GSM4228 , GSM4248W .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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