GSM4214 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM4214

Código: 4214

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.8 V

Carga de compuerta (Qg): 8 nC

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.016 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM4214

GSM4214 Datasheet (PDF)

1.1. gsm4214.pdf Size:824K _update-mosfet

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214, N-Channel enhancement mode  30V/9A,RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to  30V/8A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These  Super high density cell design for extremely devices are particularly suited for low voltage low RDS (ON) power mana

1.2. gsm4214w.pdf Size:794K _update-mosfet

GSM4214W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214W, N-Channel enhancement mode  30V/9A,RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to  30V/8A,RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge.  Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low  S

1.3. gsm4214.pdf Size:824K _globaltech_semi