GSM6602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM6602
Código: 02*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM6602
GSM6602 Datasheet (PDF)
gsm6602.pdf
GSM6602 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6602, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.5A,RDS(ON)=75m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.6A,RDS(ON)=100m@VGS=4.5V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -30V/-2.7A,RDS(ON)=130m@VGS=-10V voltag
gsm6601.pdf
GSM6601 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6601, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.4A,RDS(ON)=68m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/3.0A,RDS(ON)=74m@VGS=4.5V 30V/2.0A,RDS(ON)=90m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low P-Channelvoltage po
gsm6604.pdf
20V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6604, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.5A,RDS(ON)=52m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.6A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -20V/-3.0A,RDS(ON)=105m@VGS=-4.5V voltage power managem
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