INK0103AU1 Todos los transistores

 

INK0103AU1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: INK0103AU1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm

Encapsulados: SC-75A

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INK0103AU1 datasheet

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INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unit mm) INK0112A is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5 voltage drive and low on resistance. 0.35 0.8 0.35 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to JEIT

 9.2. Size:109K  isahaya
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History: BSC150N03LD | HM1404D

 

 

 

 

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